[发明专利]一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法

权利要求书

1.一种图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于包括以下顺序步骤：

1）采用MOCVD在EPI-ready Ge衬底上生长一层GaInP；

2）对待光刻的衬底进行涂胶、匀胶和前烘处理；

3）将掩模版与衬底对准安装；

4）投影曝光；

5）将曝光后的衬底进行显影，坚膜处理；

6）将坚膜处理后的衬底置于第一腐蚀液中腐蚀处理30～60秒，然后在第二腐蚀液中腐蚀处理30～60秒；

7）将腐蚀后的衬底去胶；

8）将衬底的GaInP层以第一腐蚀液腐蚀去除，然后采用去离子水中冲洗120～180秒，离心甩干；

9）将衬底在90～100℃的浓硫酸中浸泡后，再以40～60℃的稀硫酸浸泡，然后在第三腐蚀液中常温兆声清洗，最后在去离子水中兆声清洗；

10）采用通氮气离心甩干方式干燥衬底，N₂密封。

2.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：

所述第一腐蚀液由体积比为1：2：5~8的HCl、H₃PO₄和H₂O组成；

所述第二腐蚀液由体积比为1：1：5~10的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O组成；

所述第三腐蚀液由体积比为1：2：5~10的NH₃·H₂O、H₂O₂和H₂O组成。

3.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：步骤1）生产的GaInP厚度为100～200nm。

4.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：步骤2）中，所述待光刻的衬底特征为机械化学GaInP表面，掺杂剂为Ga，电阻率为0.001～0.01Ω·cm。

5.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：所述步骤3）中的掩模版为棱形，掩模版与衬底对准对准时，棱形短对角线方向和衬底GaInP的方向重合，棱形对角线的长度为1～2μm。

6.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：所述步骤6）中，以温度为20～60℃的第一腐蚀液中腐蚀处理60秒。

7.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：所述步骤6）中，以温度为20～60℃的第二腐蚀液中腐蚀处理60秒。

8.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：所述步骤9）中，以浓硫酸浸泡30～60秒，以稀硫酸浸泡30～60秒。

9.根据权利要求1所述图形化的太阳能电池用Ge衬底湿法化学制备方法，其特征在于：所述步骤9）中，在第三腐蚀液中兆声清洗60～120秒。