[发明专利]形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法在审
| 申请号： | 201310143438.0 | 申请日： | 2013-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378020A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅 | 申请（专利权）人： | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 新加坡，*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法，其中，半导体装置是用从背侧表面伸入半导体衬底的贯穿硅通孔予以形成以供改进式散热。具体实施例包含在衬底的背侧表面中形成凹洞，衬底在前侧表面上包含栅极堆栈，以及以导热材料填充凹洞。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 具有 贯穿 硅通孔 散热 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成散热件的方法，其包括：在衬底的背侧表面中形成多个凹洞，该多个凹洞具有小于该衬底的厚度的深度，该衬底在前侧表面上包含栅极堆栈；以及以导热材料填充该多个凹洞以在该衬底的该背侧表面中形成硅通孔；于该多个凹洞中填充该导热材料后，在该衬底的该背侧表面上直接形成该导热材料的层；以及对该衬底的该背侧表面上的该导热材料的该层的表面进行处理，以钝化该导热材料的该层。
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