[发明专利]形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法在审

专利信息
申请号: 201310143438.0 申请日: 2013-04-23
公开(公告)号: CN103378020A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅 申请(专利权)人: 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 新加坡,*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 形成 具有 贯穿 硅通孔 散热 方法
【权利要求书】:

1.一种形成散热件的方法,其包括:

在衬底的背侧表面中形成多个凹洞,该多个凹洞具有小于该衬底的厚度的深度,该衬底在前侧表面上包含栅极堆栈;以及

以导热材料填充该多个凹洞以在该衬底的该背侧表面中形成硅通孔;

于该多个凹洞中填充该导热材料后,在该衬底的该背侧表面上直接形成该导热材料的层;以及

对该衬底的该背侧表面上的该导热材料的该层的表面进行处理,以钝化该导热材料的该层。

2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过电化学电镀ECP填充该多个凹洞。

3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在以该导热材料填充该多个凹洞前,在该多个凹洞中形成衬垫材料层。

4.根据权利要求1所述的方法,其中,该多个凹洞的平均直径对于该多个凹洞之间的距离的节距比为1:x,其中,x是大于或等于2。

5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在该衬底内形成深度为6至10微米的该多个凹洞。

6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括于该衬底的该背侧表面处形成宽度大于或等于6微米的该多个凹洞。

7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使该多个凹洞与产生较高热量的区域对准。

8.一种形成散热件的方法,其包括:

蚀刻硅衬底的背侧表面而在该背侧表面中形成多个凹洞,各凹洞具有小于该硅衬底的厚度的深度,该衬底在前侧表面上包含至少一栅极堆栈;

在各凹洞中形成衬垫;

在各衬垫上方形成金属阻绝层;

在该衬底的该背侧表面上电化学电镀铜,以该铜填充该凹洞,在该衬底的该背侧表面中形成硅通孔;

于该凹洞中填充该铜后,在该衬底的该背侧表面上直接形成该铜的层;以及

对该衬底的该背侧表面上的该铜的该层的表面进行处理,以钝化该铜。

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