[发明专利]形成具有贯穿硅通孔的散热件的方法在审
申请号: | 201310143438.0 | 申请日: | 2013-04-23 |
公开(公告)号: | CN103378020A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | J·B·谭;Y·K·林;S·N·袁;S·Y·西娅 | 申请(专利权)人: | 新加坡商格罗方德半导体私人有限公司 |
主分类号: | H01L23/367 | 分类号: | H01L23/367 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 新加坡,*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 形成 具有 贯穿 硅通孔 散热 方法 | ||
1.一种形成散热件的方法,其包括:
在衬底的背侧表面中形成多个凹洞,该多个凹洞具有小于该衬底的厚度的深度,该衬底在前侧表面上包含栅极堆栈;以及
以导热材料填充该多个凹洞以在该衬底的该背侧表面中形成硅通孔;
于该多个凹洞中填充该导热材料后,在该衬底的该背侧表面上直接形成该导热材料的层;以及
对该衬底的该背侧表面上的该导热材料的该层的表面进行处理,以钝化该导热材料的该层。
2.根据权利要求1所述的方法,进一步包括通过电化学电镀ECP填充该多个凹洞。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在以该导热材料填充该多个凹洞前,在该多个凹洞中形成衬垫材料层。
4.根据权利要求1所述的方法,其中,该多个凹洞的平均直径对于该多个凹洞之间的距离的节距比为1:x,其中,x是大于或等于2。
5.根据权利要求1所述的方法,进一步包括在该衬底内形成深度为6至10微米的该多个凹洞。
6.根据权利要求1所述的方法,进一步包括于该衬底的该背侧表面处形成宽度大于或等于6微米的该多个凹洞。
7.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使该多个凹洞与产生较高热量的区域对准。
8.一种形成散热件的方法,其包括:
蚀刻硅衬底的背侧表面而在该背侧表面中形成多个凹洞,各凹洞具有小于该硅衬底的厚度的深度,该衬底在前侧表面上包含至少一栅极堆栈;
在各凹洞中形成衬垫;
在各衬垫上方形成金属阻绝层;
在该衬底的该背侧表面上电化学电镀铜,以该铜填充该凹洞,在该衬底的该背侧表面中形成硅通孔;
于该凹洞中填充该铜后,在该衬底的该背侧表面上直接形成该铜的层;以及
对该衬底的该背侧表面上的该铜的该层的表面进行处理,以钝化该铜。
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