[发明专利]半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法有效
| 申请号： | 201310115335.3 | 申请日： | 2013-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN104103686B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 吴冠纬;张耀文;杨怡箴;卢道政 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L27/115;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构、MOSFET存储单元阵列及该阵列的形成方法，该半导体结构具有一MOSFET；及一衬底，其容置所述MOSFET。所述MOSFET在所述衬底中具有一栅极、一源极及一漏极。围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以应力增强剂掺杂，其中所述应力增强剂经组态以在所述MOSFET的通道中产生一张应力，且所述张应力是沿着通道宽度方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 mosfet 存储 单元 阵列 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其包含：一MOSFET，其在一衬底中包含一栅极、一源极及一漏极；及围绕所述MOSFET的一第一衬底区域以一应力增强剂掺杂，其中所述应力增强剂经组态以在所述MOSFET的通道中产生一张应力，且所述张应力是沿着通道宽度方向，该通道宽度方向系垂直于源极及漏极方向。
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