[发明专利]基于海胆型镍粒子模板的场发射阴极结构及制造方法有效
| 申请号： | 201310107581.4 | 申请日： | 2013-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN103198991A | 公开（公告）日： | 2013-07-10 |
| 发明（设计）人： | 胡海龙;郭太良;张典;李福山;杨尊先;周雄图;张永爱;叶芸 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J29/04 | 分类号： | H01J29/04;H01J9/02 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350002 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于海胆型镍粒子模板的场发射阴极结构及制造方法，该结构包括一金属底电极层，设置在所述底电极层上的海胆型镍粒子模板，覆盖在所述镍粒子表面的纳米材料或薄膜。利用模板调控场发射阴极尖端的取向和分布密度，以模板上包覆的纳米材料提高场发射性能，解决了场发射器件性能不可控的难题。该阴极结构工作电压低，电子发射效率高，发射稳定可靠，制备工艺简单。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 海胆 粒子 模板 发射 阴极 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基于海胆型镍粒子模板的场发射阴极结构，其特征在于：该场发射阴极结构包括：基板；底电极层，设置于所述基板上；以及海胆型镍粒子，设置于所述金属底电极层上并作为模板；所述的模板表面覆盖有纳米材料。
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- 本发明公开了一种峰值响应在532nm敏感的反射式GaAlAs光电阴极及其制备方法，该阴极自下而上依此由GaAs衬底（1）、Ga1-x1Alx1As缓冲层（2）、Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层（3）以及Cs/O激活层（4）叠加而成。对生长好的GaAlAs光电阴极组件进行化学清洗、加热净化和（Cs，O）激活，最终在Ga1-x2Alx2As掺杂浓度渐变发射层表面形成Cs/O激活层。本发明解决了现有GaAs光电阴极响应波段宽、在532nm处噪声大、不能全天候使用的问题。
- 场发射阴极装置及场发射显示器-201010618382.6
- 柳鹏;周段亮;陈丕瑾;范守善 - 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
- 2010-12-31 - 2012-07-04 - H01J29/04
- 本发明涉及一种场发射阴极装置，所述场发射阴极装置包括：一绝缘基板，该绝缘基板具有一表面；一第一电极与一第二电极相互间隔地设置于所述绝缘基板的所述表面；一阴极发射体，该阴极发射体与所述第一电极电连接；所述场发射阴极装置进一步包括一次级电子发射材料，所述次级电子发射材料至少部分设置于所述第一电极和第二电极之间，且所述阴极发射体与所述次级电子发射材料相对且间隔设置。本发明还涉及采用上述场发射阴极装置的场发射显示器。
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