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[发明专利]一种基于DDC控制器的智能楼宇优化控制方法-CN202311190987.3在审
发明人：张培东;初宁波;山湧泉;龚娇;聂诚飞;张海娜;杨兴强 -专利权人：青岛艾德森物联科技有限公司;青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2023-09-15 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H05B47/11 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于DDC控制器的智能楼宇优化控制方法，涉及优化控制技术领域，该方法包括：通过光强感知器确定光照强度参数；当人员数量信息为零，获取第一区域预测聚集人数；分析邻域实时聚集人数进行弱光照明；当人员数量信息不为零，构建待照明特征区域；激活DDC云端宏控制器进行灯控优化，对待照明特征区域进行灯控；激活温度感知器采集实时温度信息，当实时温度信息不满足期望温度信息，生成温度控制参数进行温度控制。本发明解决了现有技术中楼宇控制响应错误率高，无法根据实际的人员聚集状态进行楼宇场景智能化调控的技术问题，达到了提升楼宇控制的智能化程度，根据场景进行适应性控制，提高控制准确度的技术效果。
一种基于 ddc 控制器智能楼宇优化控制方法

[实用新型]一种中央处理器导热装置-CN202320124111.8有效
发明人：官昆;刘增伟;张海娜;蒲玉玮;王环 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司;青岛艾德森物联科技有限公司;青岛捷能易道能效科技有限公司
申请日： 2023-01-11 - 公布日： 2023-06-20 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中央处理器导热装置，包括壳体，所述壳体内腔的两侧均固定连接有支撑板，两个支撑板之间固定连接有导热板，所述导热板的底部固定连接有散热片，两个支撑板的顶部均固定连接有中央处理单元，所述壳体内腔底部的两侧均固定连接有第一电机。本实用新型通过壳体、支撑板、导热板、散热片、中央处理单元、第一电机、扇叶、通风口、制冷箱、半导体制冷器、风机、软管、出风罩、箱体、第二电机、转盘、销轴、活动板和连杆的配合使用，解决了现有技术中央处理器导热装置仅通过风扇对中央处理器进行散热，无法使得中央处理器快速的降温，散热效率较低，从而无法满足实际使用需求，实用性较低的问题。
一种中央处理器导热装置

[实用新型]一种改进型压力传感器-CN202020894105.7有效
发明人：李晓;杨兴强;苏盼;曲晓蕾 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2020-05-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： G01L19/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种改进型压力传感器，包括：安装座、传感器主体、凸台；所述传感器主体安装在安装座的上方，且传感器主体与安装座通过螺钉固定连接；所述凸台安装在传感器主体的顶端；所述接线盒位于传感器主体一侧的外壁上，且接线盒与传感器主体为一体式结构；所述接线端安装在接线盒上，且接线端与接线盒通过螺钉固定连接；所述固定座通过焊接方式安装在接线盒的外壁上；所述端盖通过螺纹拧接方式安装在接线端上；本实用新型通过对改进型压力传感器的改进，具有结构设计合理，保护效果好，接线端不易进灰，凸台不易磨损、磕碰，实用性强的优点，从而有效的解决了本实用新型提出的问题和不足。
一种改进型压力传感器

[实用新型]一种数据采集箱-CN202020472987.8有效
发明人：李晓;程明旭;苏盼;顿凤娟;曲晓蕾 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G08C17/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种数据采集箱，包括箱体和支架，箱体的一侧铰接安装有箱门，箱体远离箱门的上下两侧处设置有固定板，箱体远离箱门的一侧表面处设置有防滑垫，其中，支架的两端同时与固定板和防滑垫进行贯穿连接，支架伸出固定板的一侧设置有连接板，支架靠近连接板的两侧处连接有螺母，连接板的中部活动连接有夹紧螺栓。该数据采集箱，将该箱体安装在相应的对接钢管上时，将支架贯穿钢管架依次和防滑垫、固定板进行对接，然后，将连接板和支架的两端进行对接，转动夹紧螺栓挤压卡座一侧的固定板，从而方便将该数据采集箱的箱体在相应的钢管架上进行稳定安装。
一种数据采集

[实用新型]一种嵌入式采集器用的调试串口模块-CN202020565768.4有效
发明人：程明旭;杨兴强;李晓;纪海青;曲晓蕾 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2020-04-16 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F13/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种嵌入式采集器用的调试串口模块，包括核心CPU模块和USB转串口模块，USB转串口模块内部设置有转接芯片，转接芯片具体为CH340E芯片，CH340E芯片设置有10个引脚；CH340E芯片的第八引脚为发送数据端口，CH340E芯片的第九引脚为接受数据端口，第八引脚和第九引脚均通过导线电性连接有发光二极管；CH340E芯片的第七引脚为电源端口，第七引脚通过一个去耦电容接地，CH340E芯片的第一引脚为数据线正极端口，CH340E芯片的第二引脚为数据线负极接口，CH340E芯片的第一引脚和第二引脚通过导线分别电性连接USB接口的数据线正极和数据线负极，本实用新型可以较好的将UART接口、RS485接口和RS232接口转换为常用的5Pin‑USB接口，可以更方便维护人员调试。
一种嵌入式采集器用调试串口模块

[发明专利]多个中央空调水系统的统一控制平台-CN201410486964.1有效
发明人：张培东;张文勇 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2014-09-22 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： F24F11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多个中央空调水系统的统一控制平台，包括N个设有控制单元和监测单元的客户端和第一服务器、一个第二服务器和一个第三服务器；每个客户端的监测单元采集相应的运行数据发给对应的第一服务器；第一服务器对其添加相应编号并发给第二服务器；第二服务器由N组运行数分别建立第一模型，再优化得到N组第一控制参数发送给第三服务器；第三服务器由第一控制参数建立第二模型优化得到N组第二控制参数返回第二服务器；第二服务器由其生成N组控制程序并发送给对应的第一服务器，第一服务器将其发送给与其对应的控制单元；控制单元由新的控制程序控制相应的现场设备。本发明保证现场设备实时处在最优化运行状态，达到最大程度节能。
中央调水系统统一控制平台

[发明专利]一种电阻的制备方法-CN201210576224.8无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： C04B35/462 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻的制备方法，电阻材料为氧化钡、氧化铅和氧化钛的混合物，并加入0.1-0.3mol%的氧化铌、1-4mol%的二氧化硅、1-5mol%的氧化铝和0.01-0.1mol%的氧化锰，其特征在于，在烧结工艺中，在1个大气压下快速烧结和短暂保温，烧结温度为1280-1340℃，烧结时间为5-15分钟，升温速度为200-500℃/分，降温速度为20-80℃/分。
一种电阻制备方法

[发明专利]一种新型场发射阴极-CN201210583060.1无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01J29/04 文献下载
摘要：本发明提供一种新型场发射阴极，其包括基板，在基板上形成Zn材料薄膜，对Zn材料薄膜进行热处理后冷却从而形成场发射阴极。其中，基板为普通玻璃、二氧化硅基板、硅基板。
一种新型发射阴极

[发明专利]一种有机半导体薄膜的制备方法-CN201210583061.6无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供一种有机半导体薄膜的制备方法，其包括如下步骤：（a）、对衬底使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）、然后在（a）步骤中处理过的衬底上将含有有机半导体材料和非卤类溶剂的涂覆液涂覆到衬底上，其中该非卤类溶剂在涂覆时的挥发速率为2×10-4mg/（sec﹒cm2）-8×10-4mg/（sec﹒cm2）；（c）、然后对（b）步骤中的涂布进行干燥处理。
一种有机半导体薄膜制备方法

[发明专利]一种半导体电阻的制备方法-CN201210579894.5无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： H01C17/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电阻的制备方法，半导体电阻其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂，其特征在于，包括如下步骤：（a）、将按配比配好的原料搅拌均匀，在模子内压制成型；（b）、将压制成型的半导体电阻进行通风处理，处理温度为20-30℃，处理时间为9-15小时；（c）、接着进入干燥炉中干燥，干燥温度为80-100℃，干燥时间为9-12小时。
一种半导体电阻制备方法

[发明专利]一种碳纳米管的制备方法-CN201210581092.8无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本发明提供一种碳纳米管的制备方法，其包括如下步骤：（a）、对玻璃基板使用去离子水进行清洗、烘干处理；（b）、然后在（a）步骤中处理过的玻璃基板上溅射铁、钴、镍及其合金薄膜作为催化剂；（c）、然后在（b）步骤中得到的薄膜上接着溅射一层稀土金属的氟化物薄膜；（d）、然后在催化剂薄膜上常规技术生长碳纳米管，生长温度为450-600℃。
一种纳米制备方法

[发明专利]一种半导体电阻-CN201210579932.7无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-17 - 主分类号： C04B28/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体电阻，其包括30-60wt%的水玻璃、5-10wt%的氟硅酸钠、10-50wt%的石墨、5-40wt%的矿渣粉以及20-40wt%的矿渣砂。
一种半导体电阻

[发明专利]一种新型场发射阴极的制备方法-CN201210581364.4无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种新型场发射阴极的制备方法，提供基板，清洗并烘干该基板，在烘干后的基板表面上形成Zn材料层，将该Zn材料层热处理1-12小时，热处理温度为500-700℃，然后冷却，制得ZnO纳米线型场发射阴极。
一种新型发射阴极制备方法

[发明专利]一种制备场发射阴极的处理方法-CN201210580728.7无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01J9/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制备场发射阴极的处理方法，其中该场发射阴极为SiC薄膜，使用丝网印刷并烧结处理的方法制备纳米SiC薄膜，其特征在于，烧结处理包括升温至355-375K保温30-40分钟，然后再升温至460-500K后保温80-100分钟，然后再升温至660-680K后保温90-120分钟，最后自然冷却。
一种制备发射阴极处理方法

[发明专利]一种氧化锌电阻-CN201210577698.4无效
发明人：李岗;国欣鑫;张晓辉 -专利权人： 青岛艾德森能源科技有限公司
申请日： 2012-12-27 - 公布日： 2013-04-03 - 主分类号： H01C7/112 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化锌电阻，包括主料氧化锌以及选自钴、锰、铬、镍、钡、铋、锑、铝、硅、镓、钛等的氧化物中的一种或多种的掺杂物，掺杂比例为5-10wt%。
一种氧化锌电阻

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