[发明专利]键合对准标记及计算偏移量的方法有效

专利信息
申请号: 201310103939.6 申请日: 2013-03-27
公开(公告)号: CN104078446A 公开(公告)日: 2014-10-01
发明(设计)人: 黄平;郭亮良 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
主分类号: H01L23/544 分类号: H01L23/544;H01L21/66
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李时云
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种键合对准标记及计算偏移量的方法。在第一硅片上设置第一对准标记,在第二硅片上设置第二对准标记,所述第一对准标记和第二对准标记皆包括多个横向标记和纵向标记,每个横向标记和纵向标记皆包括多个均匀分布的对准刻度,所述第一对准标记中相邻对准刻度的间距与所述第二对准标记中相邻对准刻度的间距不同。如此当两个硅片键合时,不仅能够得知在键合过程中两片硅片的偏移,还可以通过获得对齐的同次序的对准刻度之前的数量,结合对准刻度间距,够精确的得知偏移量,以便技术人员及时进行处理,从而提高生产质量,提高良率。
搜索关键词: 对准 标记 计算 偏移 方法
【主权项】:
一种键合对准标记,用于硅片键合时的对准过程,包括:第一对准标记,位于第一硅片上;第二对准标记,位于第二硅片上;其中,所述第一对准标记和第二对准标记皆包括多个横向标记和纵向标记,同一对准标记中至少包括两个同向且共线,所述横向标记和纵向标记相互垂直;每个横向标记和纵向标记皆包括多个均匀分布的对准刻度,所述第一对准标记中相邻对准刻度的间距与所述第二对准标记中相邻对准刻度的间距不同;所述对准刻度的排列方向垂直其所在的横向标记或纵向标记的排列方向;当所述第一硅片和第二硅片对准时,所述第一对准标记和所述第二对准标记至少具有一个共同的对称轴。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201310103939.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top