[发明专利]键合对准标记及计算偏移量的方法

权利要求书

1.一种键合对准标记，用于硅片键合时的对准过程，包括：

第一对准标记，位于第一硅片上；

第二对准标记，位于第二硅片上；

其中，所述第一对准标记和第二对准标记皆包括多个横向标记和纵向标记，同一对准标记中至少包括两个同向且共线，所述横向标记和纵向标记相互垂直；每个横向标记和纵向标记皆包括多个均匀分布的对准刻度，所述第一对准标记中相邻对准刻度的间距与所述第二对准标记中相邻对准刻度的间距不同；所述对准刻度的排列方向垂直其所在的横向标记或纵向标记的排列方向；当所述第一硅片和第二硅片对准时，所述第一对准标记和所述第二对准标记至少具有一个共同的对称轴。

2.如权利要求1所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一对准标记中的相邻两个对准刻度间距为2μm～5μm。

3.如权利要求2所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一对准标记中的对准刻度间距大于所述第二对准标记中的对准刻度间距。

4.如权利要求1所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一对准标记和第二对准标记的对准刻度的形状均为矩形。

5.如权利要求1所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一对准标记的横向标记的数量多于所述第二对准标记的横向标记的数量；所述第一对准标记的纵向标记的数量多于所述第二对准标记的纵向标记的数量。

6.如权利要求5所述的键合对准标记，其特征在于，所述第二对准标记的横向标记位于所述第一对准标记的横向标记之间；所述第二对准标记的纵向标记位于所述第一对准标记的纵向标记之间。

7.如权利要求1所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一硅片上还包括第一辅助标记，所述第二硅片上还包括第二辅助标记。

8.如权利要求7所述的键合对准标记，其特征在于，所述第一辅助标记为四个排列成矩形且不互相接触的辅助矩形标记。

9.如权利要求8所述的键合对准标记，其特征在于，所述第二辅助标记为中间具有十字形标记的矩形结构。

10.如权利要求9所述的键合对准标记，其特征在于，所述第二辅助标记的大小能够完全覆盖所述第一辅助标记。

11.如权利要求10所述的键合对准标记，其特征在于，所述第二辅助标记的长宽皆是60μm～80μm。

12.一种利用如权利要求1～11中任一项所述的键合对准标记计算偏移量的方法，其特征在于，

若所述第一对准标记和第二对准标记的同方向上具有同次序的对准刻度对齐，则偏移量为对齐的对准刻度的次序之前的对准刻度的数量与第一对准标记中相邻对准刻度的间距的乘积；

若所述第一对准标记和第二对准标记的同方向上不具有同次序的对准刻度对齐，则判定键合对准失败。