[发明专利]测试线的形成方法有效
| 申请号： | 201310080496.3 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051428A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种测试线的形成方法，包括：提供具有测试材料层的衬底；在所述测试材料层上形成第一测试图案；在所述第一测试图案的侧壁形成第一侧墙；去除所述第一测试图案，形成第一闭合图案；在所述第一闭合图案上形成第一缺口，形成第二测试图案；在所述第二测试图案的侧壁形成第二侧墙；去除所述第二测试图案，形成第二闭合图案；在所述第二闭合图案上形成第二缺口，形成第三测试图案；将所述第三测试图案转移到所述测试材料层，形成测试线。本发明技术方案提供的测试线的形成方法可以在面积较小的区域上制作出长度较大的测试线，长度较大的测试线有利用后续准确地测试出该测试线制作材料的电阻率，从而有利于得到功能区金属线准确的电阻率。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种测试线的形成方法，其特征在于，包括：提供具有测试材料层的衬底；在所述测试材料层上形成第一测试图案；在所述第一测试图案侧壁形成侧墙；去除所述第一测试图案，形成第一闭合图案；在所述第一闭合图案上形成第一缺口，形成第二测试图案；在所述第二测试图案的侧壁形成第二侧墙；去除所述第二测试图案，形成第二闭合图案；在所述第二闭合图案上形成第二缺口，形成待转移测试图案；将所述待转移测试图案转移到所述测试材料层，形成测试线。
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