[发明专利]测试线的形成方法有效
| 申请号： | 201310080496.3 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN104051428A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | 尚飞;何其旸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 测试 形成 方法 | ||
1.一种测试线的形成方法，其特征在于，包括：
提供具有测试材料层的衬底；
在所述测试材料层上形成第一测试图案；
在所述第一测试图案侧壁形成侧墙；
去除所述第一测试图案，形成第一闭合图案；
在所述第一闭合图案上形成第一缺口，形成第二测试图案；
在所述第二测试图案的侧壁形成第二侧墙；
去除所述第二测试图案，形成第二闭合图案；
在所述第二闭合图案上形成第二缺口，形成待转移测试图案；
将所述待转移测试图案转移到所述测试材料层，形成测试线。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述测试材料层的制作材料包括以下一种或多种的任意组合：铝、铜、钼、钽、钛和钨。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一测试图案的制作材料包括氧化硅、氮化硅、无定形碳或者光刻胶。
4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙或者所述第二侧墙的制作材料包括多晶硅、氧化硅和氮化硅中的至少一种。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙的厚度大于或者等于100埃且小于或者等于300埃。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第二侧墙的厚度大于或者等于100埃且小于或者等于300埃。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，将所述待转移测试图案转移到所述测试材料层的过程使用平版印刷工艺、纳米压印工艺、定向自组装工艺、干法蚀刻工艺和湿法蚀刻工艺的至少其中一种工艺。
8.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，采用干法蚀刻或者选择性湿法蚀刻去除所述第一测试图案或者所述第二测试图案。
9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一测试图案呈直角弯折线图案、曲线图案或者两者结合的图案。
10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一缺口和第二缺口位于所述测试材料层上相同位置。
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