[发明专利]深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构有效
| 申请号： | 201310080401.8 | 申请日： | 2013-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN103456768A | 公开（公告）日： | 2013-12-18 |
| 发明（设计）人： | 许鸿生;杨岱宜;吴威鼎;钟明达;游绍祺 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括半导体衬底；位于半导体衬底上方的接触塞；以及位于半导体衬底上方的层间介电(ILD)层，并且接触塞设置在ILD层中。气隙被ILD层的一部分和半导体衬底密封。气隙形成环绕半导体衬底的一部分的完整的气隙环。本发明提供了深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构。 | ||
| 搜索关键词： | 深沟 槽中具 有气 半导体 隔离 结构 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：半导体衬底；接触塞，位于所述半导体衬底上方；以及层间介电(ILD)层，位于所述半导体衬底上方，并且所述接触塞设置在所述ILD层中，其中气隙被所述ILD层的一部分和所述半导体衬底密封，并且所述气隙形成环绕所述半导体衬底的一部分的完整的气隙环。
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