[发明专利]深沟槽中具有气隙的半导体隔离结构

权利要求书

1.一种器件，包括：

半导体衬底；

接触塞，位于所述半导体衬底上方；以及

层间介电(ILD)层，位于所述半导体衬底上方，并且所述接触塞设置在所述ILD层中，其中气隙被所述ILD层的一部分和所述半导体衬底密封，并且所述气隙形成环绕所述半导体衬底的一部分的完整的气隙环。

2.根据权利要求1所述的器件，还包括：

金属氧化物半导体(MOS)器件，位于所述半导体衬底的顶面，其中所述MOS器件包括：

栅电极，位于所述半导体衬底的上方；以及

源极/漏极区，邻近所述栅电极，其中，所述ILD层包括在所述栅

电极和所述源极/漏极区上方延伸的第一部分和延伸到所述半导体衬

底内的第二部分，并且所述气隙和所述源极/漏极区位于所述ILD层的

第二部分的相对面上。

3.根据权利要求2所述的器件，还包括位于所述源极/漏极区上方的源极/漏极硅化物区，其中，所述ILD层包括与所述源极/漏极硅化物区重叠的一部分。

4.根据权利要求2所述的器件，其中，所述ILD层的第一部分和第二部分连续地连接到位于所述半导体衬底中且位于所述气隙下面的ILD层的一部分，从而形成连续的ILD区。

5.根据权利要求1所述的器件，还包括另一气隙，所述另一气隙位于所述半导体衬底中并且形成环绕所述半导体衬底的一部分的另一完整的气隙环，其中，完整的气隙环的一侧连接所述另一完整的气隙环的一侧。

6.一种器件，包括：

半导体衬底；

深沟槽，从所述半导体衬底的顶面延伸到所述半导体衬底内；

金属氧化物半导体(MOS)器件，位于所述半导体衬底的顶面，其中所述MOS器件包括：

栅电极，位于所述半导体衬底上方；和

源极/漏极区，邻近所述栅电极和所述深沟槽；以及

层间介电(ILD)层，位于所述栅电极和所述源极/漏极区上方，其中所述ILD层还延伸到所述深沟槽内，并且所述ILD层密封所述深沟槽中的气隙。

7.根据权利要求6所述的器件，其中，所述深沟槽的侧壁与所述深沟槽的底部形成小于90度的锐角。

8.根据权利要求6所述的器件，其中，从所述MOS器件的顶部向下观察，所述气隙形成环绕所述MOS器件的完整的环。

9.一种方法，包括：

在半导体衬底的顶面形成金属氧化物半导体(MOS)器件；

在形成所述MOS器件的步骤之后，在所述半导体衬底中形成深沟槽；以及

在所述MOS器件上方形成层间介电(ILD)层，其中，所述ILD层延伸到所述深沟槽内，并且所述ILD层密封所述深沟槽中的气隙。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括：

在形成所述MOS器件的步骤之前，形成延伸到所述半导体衬底内的浅沟槽隔离(STI)区；或者

在形成所述ILD层的步骤之后，在所述ILD层中形成接触塞，其中，所述接触塞电连接到所述MOS器件的源极/漏极区。