[发明专利]用于FinFET的N金属有效
| 申请号： | 201310072572.6 | 申请日： | 2013-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN103887340A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 郭博钦;程仲良;李显铭;张文 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了用于鳍式场效应晶体管(FinFET)的栅极堆叠件的N功函数金属及其形成方法。实施例FinFET包括由半导体衬底支撑的鳍，该鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及在鳍的沟道区域上方形成的栅极堆叠件，该栅极堆叠件包括包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层的N功函数金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 finfet 金属 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管(FinFET)，包括：鳍，由半导体衬底支撑，所述鳍在源极和漏极之间延伸并且具有沟道区域；以及栅极堆叠件，形成在所述鳍的沟道区域上方，所述栅极堆叠件包括N功函数金属层，所述N功函数金属层包含位于碳化钽铝(TaAlC)层相对侧上的氧化物层。
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