[发明专利]半导体装置及其制造方法、保护元件及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法、保护元件及其制造方法。该半导体装置包括：外延基板，通过由外延生长在一个半导体基板上堆叠多种半导体而形成；第一导电类型的场效晶体管，形成在第一区域中；第二导电类型的场效晶体管，形成在第二区域中；以及保护元件，形成在第三区域中。保护元件包括：第一堆叠结构，通过由在堆叠厚度方向上进行的垂直蚀刻来蚀刻外延基板而形成；以及第二堆叠结构，通过由在堆叠厚度方向上进行的垂直蚀刻来蚀刻外延基板而形成。保护元件具有在电流路径上的两个PN结，电流路径形成在第一堆叠结构的上端和第二堆叠结构的上端之间且经由第一堆叠结构和第二堆叠结构的基底部分。

主权项

一种半导体装置，包括：外延基板，通过用外延生长在一个半导体基板上堆叠多种半导体而形成；第一导电类型的场效晶体管，通过利用该外延基板的堆叠结构形成在该外延基板的第一区域中；第二导电类型的场效晶体管，通过利用该外延基板的堆叠结构形成在该外延基板的与该第一区域不同的第二区域中；以及保护元件，通过利用该外延基板的堆叠结构形成在该外延基板的与该第一区域和该第二区域不同的第三区域中，其中该保护元件包括第一堆叠结构，通过用在堆叠厚度方向上进行的垂直蚀刻来蚀刻该外延基板而形成，以及第二堆叠结构，通过用在堆叠厚度方向上进行的垂直蚀刻来蚀刻该外延基板而形成，并且该保护元件具有在电流路径上的至少两个PN结，该电流路径形成在该第一堆叠结构的上端和该第二堆叠结构的上端之间且经由该第一堆叠结构和该第二堆叠结构的基底部分。