[发明专利]高电压半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310053083.6 | 申请日： | 2013-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN103996708B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 廖志成;魏云洲;庄璧光;许静宜;林志威;陈文钟;张哲华;周永隆;周仲德;卓正伦;梁雅涵 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高电压半导体元件及其制造方法，其中，所述高电压半导体元件包括：半导体基板，具有一第一导电类型；栅结构，位于该半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于该栅结构的一侧壁上，其中该对间隔物之一为包括接触该栅结构的第一绝缘间隔物、假栅结构与第二绝缘间隔物的一复合间隔物；漂移区，设置于该半导体基板的一部内并位于该栅结构的一部与该对间隔物之一的下方，具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于该栅结构的相对侧的该半导体基板的一部内，其中该对掺杂区具有该第二导电类型，且该对掺杂区之一是设置于该漂移区内。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高电压半导体元件，其特征在于，包括：一半导体基板，具有一第一导电类型；一栅结构，位于所述半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于所述栅结构的一侧壁上，其中所述一对间隔物之一为一复合间隔物，而所述复合间隔物包括接触所述栅结构的一第一绝缘间隔物、一假栅结构与一第二绝缘间隔物；一本体区，设置于所述半导体基板的一部内并位于所述栅结构的一部与所述一对间隔物之一的下方，具有所述第一导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于所述栅结构的相对侧的所述半导体基板的一部内，其中所述一对掺杂区具有一第二导电类型，且所述一对掺杂区之一设置于所述本体区内，所述一对掺杂区之另一设置于所述本体区外；一第二掺杂区，具有所述第一导电类型，位于所述本体区内，与所述本体区内的所述一对掺杂区之一相邻；其中，所述假栅结构邻近设置于所述本体区外的所述一对掺杂区之一，其中所述假栅结构与设置于所述本体区外的所述一对掺杂区之一耦接于一相同操作电压，且所述假栅结构于上视图中不连续。
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