[发明专利]高电压半导体元件及其制造方法

权利要求书

1.一种高电压半导体元件，其特征在于，包括：

一半导体基板，具有一第一导电类型；

一栅结构，位于所述半导体基板的一部上；

一对间隔物，分别设置于所述栅结构的一侧壁上，其中所述一对间隔物之一为一复合间隔物，而所述复合间隔物包括接触所述栅结构的一第一绝缘间隔物、一假栅结构与一第二绝缘间隔物；

一本体区，设置于所述半导体基板的一部内并位于所述栅结构的一部与所述一对间隔物之一的下方，具有所述第一导电类型；以及

一对掺杂区，分别设置于所述栅结构的相对侧的所述半导体基板的一部内，其中所述一对掺杂区具有一第二导电类型，且所述一对掺杂区之一设置于所述本体区内，所述一对掺杂区之另一设置于所述本体区外；

一第二掺杂区，具有所述第一导电类型，位于所述本体区内，与所述本体区内的所述一对掺杂区之一相邻；其中，

所述假栅结构邻近设置于所述本体区外的所述一对掺杂区之一，其中所述假栅结构与设置于所述本体区外的所述一对掺杂区之一耦接于一相同操作电压，且所述假栅结构于上视图中不连续。

2.如权利要求1所述的高电压半导体元件，其特征在于，俯视观之，所述假栅结构具有一条状形状，而从剖面观之，所述假栅结构具有一长方形形状。

3.如权利要求1所述的高电压半导体元件，其特征在于，所述栅结构与所述假栅结构包括一介电层以及位于所述介电层上的一导电层。

4.如权利要求1所述的高电压半导体元件，其特征在于，所述一对间隔物的另一亦包括接触所述栅结构的所述第一绝缘间隔物、所述假栅结构与所述第二绝缘间隔物的所述复合间隔物。

5.如权利要求1所述的高电压半导体元件，其特征在于，所述复合间隔物包括接触所述栅结构的多个第一绝缘间隔物、多个假栅结构与一第二绝缘间隔物，其中所述第一绝缘间隔物分别位于所述假栅结构之间、所述假栅结构与所述第二绝缘间隔物之间、以及所述假栅结构与所述栅结构之间。

6.一种高电压半导体元件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一半导体基板，所述半导体基板具有一第一导电类型；

形成一本体区于所述半导体基板的一部内，所述本体区具有所述第一导电类型；

形成相分隔的一栅结构与一假栅结构于所述半导体基板上，其中栅结构部分覆盖所述本体区，而所述假栅结构位于所述本体区外的所述半导体基板之上；

形成一第一绝缘间隔物与一对第二绝缘间隔物，其中所述第一绝缘间隔物位于所述栅结构与所述假栅结构之间，而所述多个第二绝缘间隔物分别位于所述假栅结构的一侧壁上以及位于所述栅结构的一侧壁上；

施行一离子注入工艺，于邻近所述第二绝缘间隔物的所述半导体基板内形成两掺杂区，其中所述掺杂区具有第二导电类型，且所述掺杂区之一位于所述本体区内，所述掺杂区之另一位于所述本体区外，其中所述假栅结构邻近位于所述本体区外的所述掺杂区之一；

施行一第二离子注入工艺，于所述本体区内形成一第二掺杂区，与所述本体区内的所述掺杂区之一相邻，其中所述第二掺杂区具有所述第一导电类型；

施行一退火工艺；以及

形成一内连结构，使得所述假栅结构与位于所述本体区外的所述掺杂区之一耦接于一相同操作电压，且所述假栅结构于上视图中不连续。

7.如权利要求6所述的高电压半导体元件的制造方法，其特征在于，俯视观之，所述假栅结构具有一条状形状，而从剖面观之，所述假栅结构具有一长方形形状。

8.如权利要求6所述的高电压半导体元件的制造方法，其特征在于，所述栅结构与所述假栅结构包括一介电层以及位于所述介电层上的一导电层。

9.如权利要求6所述的高电压半导体元件的制造方法，其特征在于，所述第一绝缘间隔物、所述假栅结构与所述第二绝缘间隔物形成了一复合间隔物。