[发明专利]高电压半导体元件及其制造方法

说明书

本发明公开了一种高电压半导体元件及其制造方法，其中，所述高电压半导体元件包括：半导体基板，具有一第一导电类型；栅结构，位于该半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于该栅结构的一侧壁上，其中该对间隔物之一为包括接触该栅结构的第一绝缘间隔物、假栅结构与第二绝缘间隔物的一复合间隔物；漂移区，设置于该半导体基板的一部内并位于该栅结构的一部与该对间隔物之一的下方，具有相反于该第一导电类型的第二导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于该栅结构的相对侧的该半导体基板的一部内，其中该对掺杂区具有该第二导电类型，且该对掺杂区之一是设置于该漂移区内。

技术领域

本发明是关于半导体制作，且特别是关于一种高电压半导体元件及其制造方法。

背景技术

近年来，随着高电压元件(high voltage device)的需求增加，对于高电压元件之中所使用的高电压金属氧化物半导体场效应晶体管(high voltage MOSFETs)技术的研究亦逐渐增加。

于众多类型的高电压金属氧化物半导体场效应晶体管技术中，常见于金属氧化物半导体场效应晶体管的源极与漏极处使用一双扩散结构(double-diffused structure)。如此的双扩散结构可使得金属氧化物半导体场效应晶体管具有高崩溃电压(highbreakdown voltage)。具双扩散漏极结构的金属氧化物半导体场效应晶体管通常可作为具有如10V-30V的一高操作电压的一高电压元件之用。

然而，随着半导体制造技术的微缩趋势，高电压元件的尺寸亦需逐渐微缩。因此，便需要具有尺寸可更为微缩的采用双扩散结构的一种高电压半导体元件，以符合元件微缩的趋势与需求。。

发明内容

有鉴于此，本发明提供了一种高电压半导体元件及其制造方法，以提供半导体装置及其制造方法

依据一实施例，本发明的高电压半导体元件包括：一半导体基板，具有一第一导电类型；一栅结构，位于该半导体基板的一部上；一对间隔物，分别设置于该栅结构的一侧壁上，其中该对间隔物之一为一复合间隔物，而该复合间隔物包括接触该栅结构的一第一绝缘间隔物、一假栅结构与一第二绝缘间隔物；一第一漂移区，设置于该半导体基板的一部内并位于该栅结构的一部与该对间隔物之一的下方，具有相反于该第一导电类型的一第二导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于该栅结构的相对侧的该半导体基板的一部内，其中该对掺杂区具有该第二导电类型，且该对掺杂区之一设置于该第一漂移区内。依据另一实施例，本发明的高电压半导体元件的制造方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一导电类型；形成一漂移区于该半导体基板的一部内，该漂移区具有相反于该半导体基板的一第二导电类型；形成相分隔的一栅结构与一假栅结构于该半导体基板上，其中栅结构部分覆盖该漂移区，而该假栅结构位于该漂移区之上；形成一第一绝缘间隔物与一对第二绝缘间隔物，其中该第一绝缘间隔物位于该栅结构与该假栅结构之间，而该些第二绝缘间隔物分别位于该假栅结构的一侧壁上以及位于该栅结构的一侧壁上；施行一离子注入工艺，于邻近该些第二绝缘间隔物的该半导体基板内形成两掺杂区，其中该些掺杂区具有该第二导电类型，且该些掺杂区之一位于该漂移区内；以及施行一退火工艺。

依据另一实施例，本发明的高电压半导体元件的制造方法包括：提供一半导体基板，该半导体基板具有一第一导电类型；形成一对漂移区于该半导体基板的两不同部内，该些漂移区具有相反于该半导体基板的一第二导电类型；形成相分隔的一栅结构与多个假栅结构于该半导体基板上，其中栅结构部分覆盖该些漂移区的一部，而该些假栅结构分别位于该些漂移区之一上；形成一第一绝缘间隔物与一对第二绝缘间隔物，其中该第一绝缘间隔物位于该栅结构与该些假栅结构之间，而该些第二绝缘间隔物位于该些假栅结构的一侧壁上；施行一离子注入工艺，于邻近该些第二绝缘间隔物的该半导体基板内形成两掺杂区，其中该些掺杂区具有该第二导电类型，且该些掺杂区分别位于该些漂移区之一内；以及施行一退火工艺。