[发明专利]半导体设置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310050137.3 | 申请日： | 2013-02-08 |
| 公开（公告）号： | CN103985755B | 公开（公告）日： | 2017-10-27 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体设置及其制造方法。一示例设置可以包括衬底；在衬底上形成的背栅；在背栅的两侧形成的鳍；以及夹于背栅与各鳍之间的背栅介质层，其中，背栅位于其相对两侧的端部相对于端部之间的中部凹入，从而端部与每一鳍的交迭面积小于中部与该鳍的交迭面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 设置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设置，包括：衬底；在衬底上形成的从衬底伸出且沿第一方向延伸的背栅；在背栅的两侧形成的从衬底伸出且沿第一方向延伸的鳍；以及夹于背栅与各鳍之间的背栅介质层，其中，背栅沿第一方向的延伸范围与鳍沿第一方向的延伸范围一致，背栅位于其在第一方向上的相对两侧的端部相对于端部之间的中部向着衬底凹入，从而端部与每一鳍的交迭面积小于中部与该鳍的交迭面积，且端部的厚度大于零，于是背栅呈凸形。
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