[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

摘要

本公开涉及一种半导体存储器件和形成半导体存储器件的方法。半导体存储器件包括：限定有隔离区和有源区的半导体衬底；沿着与隔离区交叉的方向上形成在半导体衬底上的栅极线；构造为在隔离区中限定气隙的覆盖层，所述气隙被定位成比半导体衬底的上表面高。

主权项

1.一种制造半导体存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在有源区的半导体衬底上形成隧道绝缘层和浮栅；在隔离区的所述半导体衬底中形成沟槽；在所述沟槽中形成牺牲层，所述牺牲层的上表面被定位成比所述半导体衬底的表面高；在所述牺牲层之上形成覆盖层，其中，所述牺牲层未被所述覆盖层暴露；通过穿过覆盖层而去除所述牺牲层来在所述沟槽的底部区域形成气隙；在形成所述气隙之后在所述覆盖层上形成绝缘层；以及刻蚀所述绝缘层，使得所述绝缘层仅部分保留在所述覆盖层之上的所述隔离区中，其中，形成所述牺牲层的步骤包括：用所述牺牲层填充所述沟槽；通过执行热处理工艺将所述牺牲层固化；以及刻蚀所述牺牲层，使得所述牺牲层的上表面被定位成比所述半导体衬底的表面高。