[发明专利]具有P顶层与N能阶的半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201310044236.0 | 申请日： | 2013-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN103972286B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林镇元;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/739;H01L29/861;H01L21/336;H01L21/331;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有P顶层与N能阶的半导体装置，包括一P衬底；一高电压N阱，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该HVNW中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该HVNW中；其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，N能阶及P顶层由序列且分离设置的N型及P型扩散区段所定义。本发明也提供制造此半导体装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 顶层 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：一P衬底；一高电压N阱(HVNW)，其设置于该P衬底中；一第一P阱，其形成于具有一第一P+掺杂区的该P衬底中；一第二P阱，其形成于具有一第二P+掺杂区的该高电压N阱中，其中该第二P+掺杂区邻近于一N+掺杂源极区；以及一分离的N能阶及P顶区，其设置于该高电压N阱中，其中该分离的N能阶及P顶区具有由散布于多个N能阶区段之间的多个P顶区段所定义的一或多层，该分离的N能阶及P顶区为块状且互相交叉。
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