[发明专利]氮化物半导体结构及半导体发光元件

摘要

本发明有关于一种氮化物半导体结构及半导体发光元件。该氮化物半导体结构主要于发光层与p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，p型载子阻隔层由AlxGa1‑xN表示的材料所构成(0<x<1)，而应力控制层由AlxInyGa1‑x‑yN表示的材料所构成(0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)，且发光层具有多个彼此交替堆栈的阱层及阻障层的多重量子阱结构，且每两层阻障层间具有一阱层。该半导体发光元件至少包含如上述的氮化物半导体结构，以及二相配合地提供电能的n型电极与p型电极。由此，应力控制层不仅可改善p型载子阻隔层与发光层因晶格失配所造成晶体质量劣化的问题；同时，更可减低阱层因材料差异所受的压缩应力。

主权项

1.一种氮化物半导体结构，其于发光层与一p型载子阻隔层间配置有一应力控制层，所述发光层具有多重量子阱结构，且所述多重量子阱结构包含多个彼此交替堆栈的阱层及阻障层，且每两层所述阻障层间具有一所述阱层，所述p型载子阻隔层由化学式AlxGa1-xN表示的材料所构成，其中0&lt;x&lt;1，而所述应力控制层为AlxInyGa1-x-yN表示的材料所构成，其中，x及y满足0&lt;x&lt;1、0&lt;y&lt;1、0&lt;x+y&lt;1的数值，所述应力控制层掺杂有p型掺质和n型掺质。