[发明专利]半导体器件和半导体器件的制作方法

摘要

一种半导体器件和半导体器件的制作方法，其中所述半导体器件包括由两个电极部和位于两电极部之间的熔丝部组成的电可编程熔丝结构，且所述熔丝部具有至少一个台阶部。其中，台阶部的设置使得熔丝的熔断更容易发生在台阶处，使得熔丝被熔断的位置能够被控制，有利于控制住熔丝熔断时对周围的破坏作用。

主权项

一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成分离开来的至少两个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述半导体衬底的表面；在所述浅沟槽隔离结构上及浅沟槽隔离结构之间的所述半导体衬底上形成多晶硅层；利用光刻形成光刻胶掩模，利用所述光刻胶掩模刻蚀所述多晶硅层，使得所述多晶硅层形成电可编程熔丝结构；其中，所述电可编程熔丝结构由两个电极部和位于两电极部之间的熔丝部组成，所述熔丝部具有至少一个台阶部，所述台阶部由所述浅沟槽隔离结构与所述半导体衬底表面的绝缘层的高度差构成，所述台阶部位于两浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底上的绝缘层上；其中，在所述半导体衬底上形成分离开来的至少两个浅沟槽隔离结构的工艺包括：在所述半导体衬底上形成垫氧化层；在所述垫氧化层上形成氮化硅层；利用光刻和刻蚀工艺，在所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底中形成至少两个互相分离开的隔离沟槽；沉积氧化硅层，使之填满所述隔离沟槽并高于所述氮化硅层；化学机械研磨所述氧化硅层直至露出所述氮化硅层；去除氮化硅层，则形成好所述浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述垫氧化层的表面。