[发明专利]半导体器件和半导体器件的制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底中形成分离开来的至少两个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述半导体衬底的表面；

在所述浅沟槽隔离结构上及浅沟槽隔离结构之间的所述半导体衬底上形成多晶硅层；

利用光刻形成光刻胶掩模，利用所述光刻胶掩模刻蚀所述多晶硅层，使得所述多晶硅层形成电可编程熔丝结构；

其中，所述电可编程熔丝结构由两个电极部和位于两电极部之间的熔丝部组成，所述熔丝部具有至少一个台阶部，所述台阶部由所述浅沟槽隔离结构与所述半导体衬底表面的绝缘层的高度差构成，所述台阶部位于两浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底上的绝缘层上；

其中，在所述半导体衬底上形成分离开来的至少两个浅沟槽隔离结构的工艺包括：

在所述半导体衬底上形成垫氧化层；

在所述垫氧化层上形成氮化硅层；

利用光刻和刻蚀工艺，在所述氮化硅层、垫氧化层和半导体衬底中形成至少两个互相分离开的隔离沟槽；

沉积氧化硅层，使之填满所述隔离沟槽并高于所述氮化硅层；

化学机械研磨所述氧化硅层直至露出所述氮化硅层；

去除氮化硅层，则形成好所述浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的表面高于所述垫氧化层的表面。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，刻蚀所述多晶硅层使之形成电可编程熔丝结构之后，还包括在所述电可编程熔丝结构两侧形成侧墙的步骤。

3.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括熔丝区和晶体管区；

在所述半导体衬底上形成垫氧化层；

在所述氧化硅层上形成氮化硅层；

利用光刻和刻蚀工艺在所述氮化硅层、氧化硅层和半导体衬底上形成隔离沟槽，其中，在所述熔丝区中包括至少两个互相分离开的隔离沟槽；

形成氧化硅层，使之填满所述隔离沟槽并高于所述氮化硅层；

化学机械研磨所述氧化硅层直至露出所述氮化硅层；

去除氮化硅层；

沉积多晶硅层；

利用光刻和刻蚀工艺刻蚀所述多晶硅层，以在所述熔丝区的两隔离沟槽上和两隔离沟槽之间形成电可编程熔丝结构，在所述晶体管区形成栅极结构。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成好电可编程熔丝结构以及所述栅极结构之后，还包括在所述电可编程熔丝结构和所述栅极结构的两侧形成侧墙的步骤。

5.一种半导体器件，其特征在于，采用如权利要求1至4中任一项所述的半导体器件的制作方法来制作，所述半导体器件包括由两个电极部和位于两电极部之间的熔丝部组成的电可编程熔丝结构，所述熔丝部具有至少一个台阶部；

所述电可编程熔丝结构形成在半导体衬底上，所述半导体衬底中包括至少两个相互分离的浅沟槽隔离结构；

所述半导体衬底表面形成有绝缘层，其中，位于浅沟槽隔离结构之间的所述绝缘层的表面低于所述浅沟槽隔离结构的表面；

所述两个电极部分别位于两个浅沟槽隔离结构之上，所述熔丝部位于所述两个浅沟槽隔离结构之间的绝缘层上且与两电极部互相连接；

其中，所述台阶部由所述浅沟槽隔离结构与所述半导体衬底表面的绝缘层的高度差构成，所述台阶部位于两浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底上的绝缘层上。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层为垫氧化层。

7.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述电可编程熔丝结构的周围具有侧墙。

8.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述电可编程熔丝结构由多晶硅层构成。