[发明专利]三维芯片堆叠件及其形成方法有效
| 申请号： | 201310003803.8 | 申请日： | 2013-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN103426849A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 余振华;史达元;董志航 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种三维(3D)芯片堆叠件，包括与第二芯片接合的第一芯片。第一芯片包括位于第一衬底上面的第一凸块结构，而第二芯片包括位于第二衬底上面的第二凸块结构。第一凸块结构与第二凸块结构连接，而接合区域在第一凸块结构和第二凸块结构之间形成。该接合区域是包括贵金属的无焊料区域。本发明提供三维芯片堆叠件的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 芯片 堆叠 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种器件，包括：第一芯片，包括第一衬底和位于所述第一衬底上面的第一凸块结构；以及第二芯片，包括第二衬底和位于所述第二衬底上面的第二凸块结构；其中，通过连接所述第一凸块结构与所述第二凸块结构而接合所述第一芯片与所述第二芯片，并且在所述第一凸块结构和所述第二凸块结构之间形成接合区域；以及其中，所述接合区域是包括贵金属的无焊料区域。
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