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公布日期
2019-09-10 公布专利
2019-09-06 公布专利
2019-09-03 公布专利
2019-08-30 公布专利
2019-08-27 公布专利
2019-08-23 公布专利
2019-08-20 公布专利
2019-08-16 公布专利
2019-08-13 公布专利
2019-08-09 公布专利
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专利权人
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中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
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用于高压应用的具有改进端子结构的沟槽型DMOS器件在审

申请号: CN201280070873.9 全文下载
申请日: 2012-12-13 公开/公告日: 2014-11-12
公开/公告号: CN104145341A 主分类号: H01L29/78
申请/专利权人: 威世通用半导体公司
发明/设计人: 林意茵;林派立;许志维
分类号: H01L29/78;H01L21/76;H01L21/336
搜索关键词: 用于 高压 应用 具有 改进 端子 结构 沟槽 dmos 器件
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该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威世通用半导体公司,未经威世通用半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

 
【摘要】:
提供了一种用于半导体器件的端子结构。所述端子结构包括具有有源区和端子区的半导体衬底。端子沟槽位于所述端子区内并且从所述有源区的边界朝向所述半导体衬底的边缘延伸。MOS栅形成在所述端子沟槽的邻近所述边界的侧壁上。至少一个保护环沟槽在所述端子沟槽的远离所述有源区的一侧上形成于所述端子区中。端子结构氧化物层形成在所述端子沟槽和所述保护环沟槽上。第一导电层形成在所述半导体衬底的背面表面上。第二导电层形成在所述有源区和所述端子区顶上。
 
【主权项】:
一种用于半导体器件的端子结构,所述端子结构包括:半导体衬底,所述半导体衬底具有有源区和端子区;端子沟槽,所述端子沟槽位于所述端子区内并且从所述有源区的边界朝向所述半导体衬底的边缘延伸;MOS栅,所述MOS栅形成在所述端子沟槽的邻近所述边界的侧壁上;至少一个保护环沟槽,所述至少一个保护环沟槽在所述端子沟槽的远离所述有源区的一侧上形成于所述端子区中;端子结构氧化物层,所述端子结构氧化物层形成在所述端子沟槽和所述保护环沟槽上;第一导电层,所述第一导电层形成在所述半导体衬底的背面表面上;以及第二导电层,所述第二导电层形成在所述有源区和所述端子区顶上。
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