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[实用新型]一种具有研磨杯组件安全结构的料理机-CN202020941185.7有效
发明人：黄伟;林派立;漆海林 -专利权人：广州隆特电子有限公司
申请日： 2020-05-28 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： A47J43/046 文献下载
摘要：一种具有研磨杯组件安全结构的料理机，包括杯体组件和主机，杯体组件包括杯盖与杯座，所述主机内设有电机和开关组件，所述杯座内设有与所述电机的动力输出端可分离式连接的刀具，所述杯盖和所述杯座间设有第一限位结构，通过该结构固定形成杯体组件，所述杯体组件和所述主机间设有第二限位结构，杯体组件通过该结构固定在主机上，第一结构和第二结构间设有推杆，两个限位结构锁紧时，推杆受到挤压向下触发所述开关组件，仅第二结构锁紧时，推杆在开关组件作用下回复，对第一限位结构进行阻挡，该结构保证仅有在杯体组件安装好时才可启动主机运作，防止刀具外露以及避免由于错误安装顺序而误启动开关造成安全事故。
一种具有研磨组件安全结构料理

[发明专利]用于高压应用的具有改进端子结构的沟槽型DMOS器件-CN201280070873.9在审
发明人：林意茵;林派立;许志维 -专利权人：威世通用半导体公司
申请日： 2012-12-13 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种用于半导体器件的端子结构。所述端子结构包括具有有源区和端子区的半导体衬底。端子沟槽位于所述端子区内并且从所述有源区的边界朝向所述半导体衬底的边缘延伸。MOS栅形成在所述端子沟槽的邻近所述边界的侧壁上。至少一个保护环沟槽在所述端子沟槽的远离所述有源区的一侧上形成于所述端子区中。端子结构氧化物层形成在所述端子沟槽和所述保护环沟槽上。第一导电层形成在所述半导体衬底的背面表面上。第二导电层形成在所述有源区和所述端子区顶上。
用于高压应用具有改进端子结构沟槽 dmos 器件