专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN202110326986.1在审
  • 林意茵 - 威世通用半导体公司
  • 2012-12-20 - 2021-08-10 - H01L29/872
  • 本发明涉及半导体器件和形成半导体器件的方法。所述半导体器件包括:衬底、设置在所述衬底上的第一有源层,以及设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙,使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置在所述第二有源层中的凹部中的第一部分以及设置在所述第二有源层上的第二部分使得肖特基结形成在所述第一电极和所述第二有源层之间。所述第一电极的第一部分具有比所述第一电极的第二部分低的肖特基势垒。第二电极与所述第一有源层接触。所述第二电极与所述第一有源层建立欧姆结。
  • 半导体器件形成方法
  • [发明专利]具有垂直结构的氮化镓功率半导体器件-CN201480045765.5有效
  • 陈世冠;林意茵 - 威世通用半导体公司
  • 2014-06-18 - 2018-12-14 - H01L29/861
  • 本发明公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括衬底和第一有源层,所述衬底具有第一面和第二面,并且所述第一有源层设置在所述衬底的所述第一面上方。第二有源层设置在所述第一有源层上。所述第二有源层具有比所述第一有源层更高的带隙,使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间出现二维电子气层。至少一个沟槽延伸穿过所述第一有源层和所述第二有源层及所述二维电子气层并进入所述衬底中。导电材料内衬于所述沟槽上。第一电极设置在所述第二有源层上并且第二电极设置在所述衬底的所述第二面上。
  • 具有垂直结构氮化功率半导体器件
  • [发明专利]具有部分凹陷双金属电极的GaN基肖特基二极管-CN201280077108.X在审
  • 林意茵 - 威世通用半导体公司
  • 2012-12-20 - 2015-07-22 - H01L29/872
  • 本发明提供一种半导体器件,所述半导体器件包括:衬底、设置在所述衬底上的第一有源层,以及设置在所述第一有源层上的第二有源层。所述第二有源层具有比所述第一有源层高的带隙,使得在所述第一有源层与所述第二有源层之间产生二维电子气层。第一电极具有设置在所述第二有源层中的凹部中的第一部分以及设置在所述第二有源层上的第二部分使得肖特基结形成在所述第一电极和所述第二有源层之间。所述第一电极的第一部分具有比所述第一电极的第二部分低的肖特基势垒。第二电极与所述第一有源层接触。所述第二电极与所述第一有源层建立欧姆结。
  • 具有部分凹陷双金属电极gan基肖特基二极管

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