[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201280047543.8 申请日: 2012-09-14
公开(公告)号: CN103858228B 公开(公告)日: 2016-11-09
发明(设计)人: 小川省吾 申请(专利权)人: 富士电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 宋俊寅
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 对于具有不同功能的半导体装置,使部件共用化,以低成本来实现。电路组装体(100)包含:配置在散热基底(110)上的第一、第二基板;以及安装在这些基板上的第一、第二半导体元件。在将第一、第二基板之间相连,且串联连接第一、第二半导体元件的情况下,设置三个主电极端子(121、122、123),在并联连接第一、第二半导体元件的情况下,设置两个主电极端子(121、122)。电路组装体(100)不管在哪一种情况下,都利用共用的封装壳体(200)进行覆盖,以使得主电极端子(121~123)的一部分、或主电极端子(121、122)的一部分露出。通过使用于电路组装体(100)的部件共用化,并改变第一、第二基板之间的接线,从而以低成本来实现不同功能的半导体模块(1)。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,包括:散热基底;第一基板,该第一基板配置在所述散热基底上,且具有第一导体图案;第二基板,该第二基板配置在所述散热基底上,且具有第二导体图案;第一半导体元件,该第一半导体元件配置在所述第一基板上,且在所述第一导体图案上具有第一集电极端子和第一发射极端子;第二半导体元件,该第二半导体元件配置在所述第二基板上,且在所述第二导体图案上具有第二集电极端子和第二发射极端子;多个电极端子,该多个电极端子在将所述第一发射极端子和所述第二集电极端子相连的第一情况下分别与所述第一集电极端子、所述第二发射极端子和所述第二集电极端子相连接,在将所述第一集电极端子和所述第二集电极端子相连且将所述第一发射极端子和所述第二发射极端子相连的第二情况下分别与所述第一集电极端子和所述第二发射极端子相连接;以及共用的封装壳体,该共用的封装壳体不管是在所述第一情况下还是在所述第二情况下,都使所连接的所述各电极端子的一部分露出且覆盖在所述散热基底上,不改变所述第一基板和所述第二基板、所述第一半导体元件和所述第二半导体元件、以及所述第一导体图案和所述第二导体图案,而通过仅改变所述第一基板和第二基板之间的利用引线进行的连接,从而能够成为所述第一情况或者成为所述第二情况。
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