[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201280040922.4 | 申请日： | 2012-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN103748689A | 公开（公告）日： | 2014-04-23 |
| 发明（设计）人： | 桐泽光明 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/265;H01L21/28;H01L21/329;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/868 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 金玉兰;金光军 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在高浓度的锑掺杂的n型半导体基板（n型阴极层（1））的上表面形成成为n-型漂移层（2）的n型外延层（10）。在n-型漂移层（2）的表面形成p型阳极层（3）。在n型阴极层（1）的下表面以与n型阴极层（1）的杂质浓度相同程度或者为n型阴极层（1）的杂质浓度以上的杂质浓度形成n型接触层（4）。以与该n型接触层（4）接触的方式形成阴极电极（6）。在该n型接触层（4）掺杂磷，并且通过500℃以下的低温热处理使得在没有完全再结晶化的状态下使晶格缺陷残留。由此，在二极管或者MOSFET等中，能够使晶片的裂痕为最小限度，且能够确保晶片背面的半导体层和金属电极的良好的欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的半导体基板；在所述半导体基板的背面设置的、比所述半导体基板的浓度高的高浓度的第1导电型接触层；与所述接触层接触的第1电极，其中，在所述接触层掺杂磷，所述接触层的最大载流子浓度比1.0×1018/cm3大，且比5.0×1019/cm3小，所述接触层的其从与所述第1电极的边界向所述半导体基板内的扩散深度为0.5μm以下。
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