[发明专利]半导体装置

摘要

根据本发明，提供成品率优异的半导体装置。本发明的半导体装置（10）具备：基材（芯片焊盘）（2）；半导体元件（3）；和介于基材与半导体元件（3）之间，将两者粘接的粘接层（1）。在粘接层（1）中含有热传导性填料（8）。该半导体装置（10）在粘接层（1）中分散有热传导性填料（8），在将整个粘接层（1）中的热传导性填料（8）的含有率设为C、将粘接层（1）的从半导体元件（3）侧的界面起至深度2μm的区域1中的热传导性填料（8）的含有率设为C1、并将粘接层（1）的从基材（芯片焊盘）（2）侧的界面起至深度2μm的区域2中的热传导性填料（8）的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：基材；半导体元件；和介于所述基材与所述半导体元件之间，将两者粘接的粘接层，在所述粘接层中分散有热传导性填料，在将整个所述粘接层中的所述热传导性填料的含有率设为C、将所述粘接层的从所述半导体元件侧的界面起至深度2μm的区域1中的所述热传导性填料的含有率设为C1、并将所述粘接层的从所述基材侧的界面起至深度2μm的区域2中的所述热传导性填料的含有率设为C2时，满足C1＜C并且C2＜C。