[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201280025465.1 | 申请日： | 2012-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN103563061A | 公开（公告）日： | 2014-02-05 |
| 发明（设计）人： | 下边安雄;村山龙一;三户手启二 | 申请（专利权）人： | 住友电木株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/52 | 分类号： | H01L21/52 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，其特征在于，具备：
基材；
半导体元件；和
介于所述基材与所述半导体元件之间，将两者粘接的粘接层，
在所述粘接层中分散有热传导性填料，
在将整个所述粘接层中的所述热传导性填料的含有率设为C、将所述粘接层的从所述半导体元件侧的界面起至深度2μm的区域1中的所述热传导性填料的含有率设为C1、并将所述粘接层的从所述基材侧的界面起至深度2μm的区域2中的所述热传导性填料的含有率设为C2时，满足
C1＜C并且C2＜C。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：
0.75＜C1/C＜0.97，并且，0.75＜C2/C＜0.97。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于：
所述热传导性填料含有选自银、铜、金、铝、镍、氧化铝和二氧化硅中的至少一种以上。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述基材为引线框、散热器或BGA基板。
5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体装置，其特征在于：
所述半导体元件为耗电功率1.7W以上的功率器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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