[发明专利]半导体装置

说明书

技术领域

本发明涉及半导体装置。

本申请基于2011年5月27日在日本申请的特愿2011-119606号主张优先权，在此援用其内容。

背景技术

作为在引线框上接合半导体元件的技术，已知有利用粘接膜的技术。这种技术例如在专利文献1中有记载。专利文献1中记载的粘接膜，记载有使用在热固性树脂中含有银填料的粘接膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-118081号公报

专利文献2：日本特开2003-82034号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，本发明人进行了研究，结果发现：以往的粘接膜在半导体元件与其他部件的应力缓和能力方面有改善的余地。

用于解决技术问题的手段

在专利文献2中记载有：银膏粘接剂中，由于银填料的沉降，存在于上部的银填料向下部移动，因此，变得具有不均匀的银填料的分布。根据该文献，由膏构成的粘接层中，银填料的浓度从上表面向下表面升高，因此，在其下表面，粘接力大幅降低。

因此，在本发明的技术领域中，要求使粘接层的下表面的粘接力的降低减少。为了满足这样的要求，以往优选被压接在半导体元件与引线框之间的粘接层膜在其层厚方向具有完全均匀的银填料分布。

但是，本发明人进行了研究，结果发现：在银填料完全均匀地分布的情况下，不能充分得到粘接层膜的界面的应力缓和能力。

进一步研究的结果发现：由芯片粘接膏构成的粘接层（以下也称为DA层）在层厚方向产生银填料的不均匀分布。机理不清楚，但是当从两侧对芯片粘接膏进行压接时，在膏的内部和外部，树脂的流动不同。由此，可推测：在DA层的内部，银填料的浓度提高，另一方面，在DA层的两界面，树脂浓度提高。由此，DA层的两界面的应力缓和能力提高。

研究的结果发现，优选以下的技术方案。

即，根据本发明，提供

[1]一种半导体装置，其特征在于，具备：

基材；

半导体元件；和

介于上述基材与上述半导体元件之间，将两者粘接的粘接层，

在上述粘接层中分散有热传导性填料，

在将整个上述粘接层中的上述热传导性填料的含有率设为C、将上述粘接层的从上述半导体元件侧的界面起至深度2μm的区域1中的上述热传导性填料的含有率设为C1、并将上述粘接层的从上述基材侧的界面起至深度2μm的区域2中的上述热传导性填料的含有率设为C2时，满足

C1＜C并且C2＜C。

另外，本发明还包含以下的技术方案。

[2]如[1]所述的半导体装置，其中，

0.75＜C1/C＜0.97，并且，0.75＜C2/C＜0.97。

[3]如[1]或[2]所述的半导体装置，其中，

上述热传导性填料含有选自银、铜、金、铝、镍、氧化铝和二氧化硅中的至少一种以上的颗粒。

[4]如[1]～[3]中任一项所述的半导体装置，其中，

上述基材为引线框、散热器（heat sink）或BGA基板。

[5]如[1]～[4]中任一项所述的半导体装置，其中，

上述半导体元件为耗电功率1.7W以上的功率器件。

发明效果

根据本发明，能够提供成品率优异的半导体装置。

附图说明

图1是表示本实施方式的半导体装置的结构的剖面图。

图2是图1所示的半导体装置的放大图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在所有的附图中，对同样的构成要素标注同样的符号，适当省略说明。

图1是表示本实施方式的半导体装置10的结构的剖面图。另外，图2是将图1所示的半导体装置10的一部分放大后的图。