[发明专利]用于生长半导体晶体的半导体设备和方法有效
| 申请号： | 201280015140.5 | 申请日： | 2012-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN103443902B | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 金武成;曹荣得;孙昌铉;金范燮 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 许向彤;陈英俊 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体设备包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层。所述图案是自组装图案。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装图案；在所述碳化硅衬底上形成缓冲层；以及在所述缓冲层上形成外延层。一种半导体设备，包括：包括图案凹槽的基座衬底；以及在所述基座衬底上的外延层。一种半导体晶体的生长方法，所述方法包括：清洗碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上形成自组装凸起；中形成图案凹槽；以及在所述碳化硅上形成外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 生长 半导体 晶体 半导体设备 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体设备，包括：基座衬底；在所述基座衬底上的图案；在所述基座衬底上的缓冲层；以及在所述缓冲层上的外延层，其中，所述图案是自组装图案，其中，所述基座衬底和所述图案中的每个是由碳化硅形成的，其中，所述缓冲层仅布置在所述图案及与所述图案相邻的图案之间暴露的所述衬底的一个表面上，并且所述缓冲层是使用外延过生长方法来形成的。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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