[实用新型]无引脚MOSFET封装结构

摘要

本实用新型公开一种无引脚MOSFET封装结构，其导电基盘由散热区和基盘引脚区组成，此漏极引脚一端与散热区端面电连接，所述散热区位于MOSFET芯片正下方且与MOSFET芯片下表面之间通过软焊料导电层电连接；所述第一导电焊盘和第二导电焊盘位于MOSFET芯片另一侧，第一导电焊盘和第二导电焊盘均包括焊接区和引脚区，焊接区与引脚区的连接处具有一折弯部，从而使得焊接区高于引脚区；一铝导体带跨接于所述MOSFET芯片的源极与第一导电焊盘的焊接区之间；一金属线跨接于所述MOSFET芯片的栅极与第二导电焊盘的焊接区之间。本实用新型有利于进一步缩小器件的体积，同时减少封装体中部件的数目；且有效避免了由于连接栅极的金属线较细在使用中容易断的技术缺陷。

主权项

一种无引脚MOSFET封装结构，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的漏极引脚（321）组成，此漏极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过软焊料导电层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8），焊接区（7）与引脚区（8）的连接处具有一折弯部（9），从而使得焊接区（7）高于引脚区（8）；一铝导体带（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间；一金属线（11）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间。