[发明专利]高长宽比电路图形及其制作方法有效
| 申请号： | 201210574707.4 | 申请日： | 2012-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN103579240A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 俞建安;林义峰 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作高长宽比电路图形的方法，其步骤包含形成多条并行线以及与该些并行线相交的支撑线、在该些并行线与支撑线之间形成支撑性绝缘结构，用以在后续的刻蚀工艺中支撑该些并行线、以及在该刻蚀工艺后切断该些并行线与支撑线之间的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 高长宽 电路 图形 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种电路图形，其特征在于，包含：多条并行线；多个支撑性绝缘结构，形成在该些并行线之间的空间中；以及至少一支撑线，与该些并行线交会，所述支撑线与该些并行线之间的连结会被一个切过该些并行线与该些支撑性绝缘结构的间隙结构给切断。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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