[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提出了一种具有静电放电(ESD)保护模块的半导体器件及其制造方法。根据本公开的实施例，所述ESD保护模块制作于半导体器件的源极金属和栅极金属之间，整体具有靠近所述源极金属一侧的第一部分和靠近所述栅极金属一侧的第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的中间部分，所述ESD保护模块整体的厚度从所述中间部分分别向所述第一部分和所述第二部分降低，使所述ESD保护模块整体呈凸字状。该ESD保护模块的厚度在靠近栅极金属和源极金属侧降阶，有利于金属层到半导体器件的衬底以及到ESD保护模块之间的层间通孔在同一工艺步骤中形成。

主权项

一种半导体器件，包括：衬底；晶体管，形成于衬底中，具有漏区、栅区和源区；栅极金属，耦接所述栅区；源极金属，耦接所述源区，与所述栅极金属之间具有隔离间隙；和静电放电(ESD)保护模块，形成于所述衬底的表面上方，位于所述栅极金属与所述源极金属之间，包括第一隔离层和覆盖所述第一隔离层的ESD保护层，其中所述第一隔离层将所述ESD保护层与所述晶体管隔离，ESD保护模块整体具有靠近所述源极金属一侧的第一部分和靠近所述栅极金属一侧的第二部分以及位于所述第一部分和所述第二部分之间的中间部分，所述ESD保护模块整体的厚度从所述中间部分分别向所述第一部分和所述第二部分降低，使所述ESD保护模块整体呈凸字状。