[发明专利]一种对纳米图形进行紫外清洗的装置及方法无效
| 申请号： | 201210551939.8 | 申请日： | 2012-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN102974573A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 赵士瑞;景玉鹏;于明岩;郭晓龙;徐昕伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | B08B7/00 | 分类号： | B08B7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种对纳米图形进行紫外清洗的装置及方法，该装置包括：反应腔室(1)；设置于腔室内部顶端的紫外灯(2)；设置于腔室内部用来固定待清洗硅片(5)的托盘(4)；设置于托盘下方的加热管(3)；设置于腔室底部且连接于托盘用来带动托盘转动使硅片清洗均匀的电机(6)；以及反应腔室外部的控制面板。利用本发明，由于通入氧气，提高了反应腔室的氧气浓度，在紫外线照射下会产生密度更大的臭氧，因此能够彻底去除残留在纳米图形上的高分子聚合物；在承载硅片的托盘下装有旋转的电机，通过对硅片进行旋转来进行加热和紫外辐射，从而使硅片受到均匀的热管加热和紫外辐射，进而使清洗效果相对均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 进行 紫外 清洗 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，该装置包括：反应腔室(1)；设置于腔室(1)内部顶端的紫外灯(2)；设置于腔室(1)内部用来固定待清洗硅片(5)的托盘(4)；设置于托盘(4)下方的加热管(3)；设置于腔室(1)底部且连接于托盘(4)用来带动托盘(4)转动使硅片清洗均匀的电机(6)；以及反应腔室(1)外部的控制面板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210551939.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：土壤介质中电偶腐蚀试验装置
- 下一篇：激光切割装置复合排风冷却系统
