[发明专利]一种对纳米图形进行紫外清洗的装置及方法

权利要求书

1.一种对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，该装置包括：

反应腔室(1)；

设置于腔室(1)内部顶端的紫外灯(2)；

设置于腔室(1)内部用来固定待清洗硅片(5)的托盘(4)；

设置于托盘(4)下方的加热管(3)；

设置于腔室(1)底部且连接于托盘(4)用来带动托盘(4)转动使硅片清洗均匀的电机(6)；以及

反应腔室(1)外部的控制面板。

2.根据权利要求1所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述反应腔室(1)为隔热腔室，反应腔室(1)与该装置的外壳之间使用石棉隔开。

3.根据权利要求2所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，在所述反应腔室(1)的一侧，设置有抽真空孔和充氧气孔，抽真空孔通过抽真空导管与外部抽真空装置连通，充氧气孔通过充氧气导管与外部氧源连通。

4.根据权利要求3所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述反应腔室(1)提供了一个密闭的清洗空间，反应生成的杂质通过对该反应腔室(1)抽真空孔而排出；在使用该装置对纳米图形进行紫外清洗时，是先通过抽真空孔将反应腔室(1)内部抽为真空，然后再通过充氧气孔向反应腔室(1)内部充入氧气。

5.根据权利要求1所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述紫外灯(2)用于提供清洗硅片的能量来源，采用一个或多个紫外灯管。

6.根据权利要求5所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，若是采用多个紫外灯管，将该多个紫外灯管并排设置于反应腔室(1)内部的顶端。

7.根据权利要求1所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述托盘(4)连接于电机(6)，用于让固定在托盘(4)上的待清洗硅片(5)在紫外灯(2)下旋转，从而提高清洗的均匀性。

8.根据权利要求7所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述托盘(4)的尺寸为2寸、4寸、8寸或12寸。

9.根据权利要求1所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述加热管(3)用以控制待清洗硅片(5)表面的反应温度，从而控制反应速率。

10.根据权利要求9所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，所述加热管(3)采用环形石英管，且该环形石英管与温度控制装置(9)相连，以控制反应腔室(1)内部的温度。

11.根据权利要求1所述的对纳米图形进行紫外清洗的装置，其特征在于，在该控制面板上设置有温度显示窗口(7)、定时装置(8)、温度控制装置(9)、紫外灯开关(10)及加热管与电机开关(11)，其中：

温度显示窗口(7)，用以显示反应时反应腔室(1)的温度；

定时装置(8)，用于在设定的时间结束时启动紫外灯开关(10)和加热管与电机开关(11)，关闭紫外灯(2)、加热管(3)与电机(6)；

温度控制控制装置(9)，用于设定反应腔室的温度，通过与反应腔室内安装的热电偶测量得到的温度相比较，如果达到设定温度则关闭加热管，如果低于设定温度则打开加热管进行加热，从而实现对反应腔室(1)内温度的控制；

紫外灯开关(10)，用以控制紫外灯(2)的开关；

加热管与电机开关(11)，用以控制加热管(3)和电机(6)的开启和关闭。

12.一种利用权利要求1至11中任一项所述的装置对纳米图形进行紫外清洗的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：将带有光刻胶图形的硅片固定在紫外清洗装置的托盘上；

步骤2：对装置抽真空，待装置抽真空结束后，向装置中充入氧气；

步骤3：打开电源开关并设置清洗温度及时间；

步骤4：打开加热管与电机，待反应腔室内达到设置的清洗温度后，打开紫外灯，此时清洗时间开始计时；

步骤5：计时完成，清洗过程结束，取出硅片。