[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201210545982.3 | 申请日： | 2012-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN103871882A | 公开（公告）日： | 2014-06-18 |
| 发明（设计）人： | 曹国豪;蒲贤勇;汪铭;程勇;宋慧芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/768;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；栅极结构，所述栅极结构位于所述有源区上；至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述衬底之上，且在所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。根据本公开，可以有效降低半导体装置的尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；在所述有源区上形成栅极结构；在所述衬底之上形成至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
