[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，所述方法包括：

提供衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；

在所述有源区上形成栅极结构；

在所述衬底之上形成至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述有源区上形成栅极结构的步骤包括：

在所述有源区上形成栅极绝缘层、在栅极绝缘层上的栅极、以及在栅极上的硬掩模层；

形成用于所述栅极的间隔物，所述间隔物位于至少所述栅极和所述硬掩模层的侧面。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成至少一个内部互连层的步骤包括：

形成内部互连材料层，以覆盖所述沟槽隔离区、所述有源区和所述栅极结构；

在所述内部互连材料层上形成图案化的硬掩模层；

以所述图案化的硬掩模层图为掩模来蚀刻所述内部互连材料层，以形成所述至少一个内部互连层。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内部互连层包括多晶硅或者金属。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内部互连层的厚度为至

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述内部互连层还包括位于所述栅极结构中的间隔物上的部分。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

形成到所述内部互连层的接触件。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述内部互连层包括多晶硅，并且

所述方法还包括：

在所述内部互连层的表面的至少一部分形成硅化物层；以及

形成到所述硅化物层的接触件。

9.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：

衬底，所述衬底包括有源区和与所述有源区邻接的至少一个沟槽隔离区；

栅极结构，所述栅极结构位于所述有源区上；

至少一个内部互连层，所述内部互连层位于所述衬底之上，且在所述栅极结构的侧面，并且所述内部互连层至少覆盖所述有源区的一部分和相应的沟槽隔离区的至少一部分。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构包括：

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成于所述有源区上；

栅极，所述栅极位于所述栅极绝缘层上；以及

间隔物，所述间隔物位于至少所述栅极的侧面。

11.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述栅极结构包括：

栅极绝缘层，所述栅极绝缘层形成于所述有源区上；

栅极，所述栅极位于所述栅极绝缘层上；

硬掩模层，所述硬掩模层位于所述栅极上；以及

间隔物，所述间隔物位于至少所述栅极和所述硬掩模层的侧面。

12.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述内部互连层包括多晶硅或者金属。

13.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述内部互连层的厚度为至

14.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，

所述内部互连层包括位于所述栅极结构中的间隔物上的部分。

15.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：

接触件，其连接到所述内部互连层。

16.如权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述内部互连层由多晶硅形成，所述半导体装置还包括：

接触件；以及

形成在所述内部互连层和所述接触件之间的金属硅化物层。