[发明专利]半导体装置的制造方法无效
| 申请号： | 201210536892.8 | 申请日： | 2012-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN103165474A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 盛田浩介;高本尚英;千岁裕之 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/54 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蒋亭 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够抑制在半导体元件与底层填充片的界面中产生空隙而制造可靠性高的半导体装置的半导体装置的制造方法。本发明是具备被粘附体、与该被粘附体电连接的半导体元件、和将该被粘附体与该半导体元件之间的空间填充的底层填充材料的半导体装置的制造方法，其包括：准备具备支承材和层叠于该支承材上的底层填充材料的密封片的准备工序，使半导体晶片的形成有连接构件的电路面与上述密封片的底层填充材料在10000Pa以下的减压气氛、0.2MPa以上的按压、和40℃以上的热压接温度的条件下热压接的热压接工序，将上述半导体晶片切割而形成带有上述底层填充材料的半导体元件的切割工序，和用上述底层填充材料将上述被粘附体与上述半导体元件之间的空间填充并且经由上述连接构件将上述半导体元件与上述被粘附体电连接的连接工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，所述半导体装置具备被粘附体、与该被粘附体电连接的半导体元件、和将该被粘附体与该半导体元件之间的空间填充的底层填充材料，所述半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备具备支承材和层叠于该支承材上的底层填充材料的密封片，热压接工序，使半导体晶片的形成有连接构件的电路面与所述密封片的底层填充材料在10000Pa以下的减压气氛、0.2MPa以上的按压、和40℃以上的热压接温度的条件下热压接，切割工序，将所述半导体晶片切割而形成带有所述底层填充材料的半导体元件，和连接工序，用所述底层填充材料将所述被粘附体与所述半导体元件之间的空间填充，并且经由所述连接构件将所述半导体元件与所述被粘附体电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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