[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210506054.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103855200B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;吴振兴;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 发明提供了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。本发明提供的半导体器件的靠近过渡区主结的基区处存在一个电流通路，为半导体器件在开启过程和关断过程中出现的动态雪崩电流提供了电流泄放通路，从而避免动态雪崩电流使半导体器件失效，改善了半导体器件的性能。而且，第一场板覆盖主结的同时与基区电连接，第一场板电位恒为零，增强了第一场板的电场屏蔽作用，从而提高半导体器件的反向耐压能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，包括：基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接；并且，所述第一场板为阶梯状场板，从下往上包括第一阶梯场板和第二阶梯场板，所述第一阶梯场板与基底表面接触，所述第二阶梯场板与基底之间存在氧化层，所述氧化层将所述第二阶梯场板与所述基底表面隔离。
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