[发明专利]一种半导体器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210506054.6 | 申请日： | 2012-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN103855200B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 褚为利;朱阳军;左小珍;赵佳;吴振兴;田晓丽 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：
基底，所述基底内形成有基区和主结，所述基区内形成有发射区；
发射极金属电极，所述发射极金属电极形成于所述基区和发射区表面，且与所述基区和发射区电连接；
第一场板，所述第一场板覆盖所述主结，且与所述发射极金属电极电连接。
2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一场板为金属场板。
3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述第一场板与所述发射极金属电极同步形成。
4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述第一场板为阶梯状场板，从下往上包括第一阶梯场板和第二阶梯场板。
5.根据权利要求4所述的器件，其特征在于，所述第一阶梯场板与基底表面接触，所述第二阶梯场板与基底之间存在氧化层，所述氧化层将所述第二阶梯场板与所述基底表面隔离。
6.根据权利要求1至5所述的器件，其特征在于，所述基底表面还形成有第二场板，所述第二场板位于所述半导体器件的终端区。
7.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述第二场板的个数在3~30范围内。
8.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述基底表面内还形成有场限环结构，所述场限环结构位于所述半导体器件的终端区。
9.根据权利要求8所述的器件，其特征在于，所述场限环结构的个数在3~30范围内。
10.根据权利要求6所述的器件，其特征在于，所述基底表面内还形成有结终端延伸结构，所述结终端延伸结构位于所述半导体器件的终端区。
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