[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201210497328.X | 申请日： | 2012-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103779421A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 徐振航;余宗玮;辛哲宏 | 申请（专利权）人： | 元太科技工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关一种薄膜晶体管结构及其制作方法，其中的薄膜晶体管结构包括：金属氧化物半导体层、栅极、源极与漏极、栅绝缘层以及保护层。金属氧化物半导体层具有结晶表面，其中结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成。结晶颗粒中的铟含量占金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上。栅极配置于金属氧化物半导体层的一侧。源极与漏极配置于金属氧化物半导体层的另一侧上。栅绝缘层配置于栅极与金属氧化物半导体层之间。保护层配置于栅绝缘层上，其中金属氧化物半导体层的结晶表面直接接触栅绝缘层或保护层。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管结构，配置于基板上，其特征在于，该薄膜晶体管结构包括：金属氧化物半导体层，具有结晶表面，其中该结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成，且上述结晶颗粒中的铟含量占该金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上；栅极，配置于该金属氧化物半导体层的一侧；源极与漏极，配置于该金属氧化物半导体层的另一侧上；栅绝缘层，配置于该栅极与该金属氧化物半导体层之间；以及保护层，配置于该栅绝缘层上，其中该金属氧化物半导体层的该结晶表面直接接触该栅绝缘层或该保护层。
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