[发明专利]薄膜晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管结构，配置于基板上，其特征在于，该薄膜晶体管结构包括：

金属氧化物半导体层，具有结晶表面，其中该结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成，且上述结晶颗粒中的铟含量占该金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上；

栅极，配置于该金属氧化物半导体层的一侧；

源极与漏极，配置于该金属氧化物半导体层的另一侧上；

栅绝缘层，配置于该栅极与该金属氧化物半导体层之间；以及

保护层，配置于该栅绝缘层上，其中该金属氧化物半导体层的该结晶表面直接接触该栅绝缘层或该保护层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该栅极配置于该基板上，该栅绝缘层覆盖该栅极与部分该基板，该金属氧化物半导体层配置于该栅绝缘层上，该源极与该漏极暴露出该金属氧化物半导层的该结晶表面，该保护层覆盖该源极、该漏极、该栅绝缘层以及该结晶表面。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该源极与该漏极配置于该基板上且暴露出该基板的一部分，该金属氧化物半导体层配置于该源极与该漏极上且覆盖该基板的该部分，该栅绝缘层配置于该金属氧化物半导体层上且覆盖该金属氧化物半导体层、该源极以及该漏极，该栅极配置于该栅绝缘层上，而该保护层覆盖该栅极以及该栅绝缘层。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌。

5.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中该栅绝缘层的材质与该保护层的材质包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

6.如权利要求1所述的薄膜晶体管结构，其特征在于其中各该结晶颗粒的粒径介于1纳米至100纳米之间。

7.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于包括：

形成栅极于基板上；

形成栅绝缘层于该基板上，其中该栅绝缘层覆盖该栅极与部分该基板；

形成金属氧化物半导体层于该栅绝缘层上，其中该金属氧化物半导体层暴露出部分该栅绝缘层；

形成源极与漏极于该金属氧化物半导体层上，其中该源极与该漏极暴露出该金属氧化物半导体层的一部分表面；以及

形成保护层于该源极与该漏极上，该保护层覆盖该源极、该漏极以及该栅绝缘层，且该保护层直接接触该源极与该栅极所暴露出的该金属氧化物半导体层的该部分表面，而形成结晶表面，其中该结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成，且上述结晶颗粒中的铟含量占该金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上。

8.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌。

9.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中该栅绝缘层的材质与该保护层的材质包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。

10.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中各该结晶颗粒的粒径介于1纳米至100纳米之间。

11.如权利要求7所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中形成该保护层的工艺温度介于100℃至300℃。

12.一种薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于包括：

形成源极与漏极于基板上，其中该源极与该漏极暴露出该基板的一部分；

形成金属氧化物半导体层于该基板上，其中该金属氧化物半导体层覆盖该源极、该漏极以及该源极与该漏极所暴露出该基板的该部分；

形成栅绝缘层于该基板上，其中该栅绝缘层覆盖该金属氧化物半导体层、该源极与该漏极，且该栅绝缘层直接接触该金属氧化物半导体层而形成结晶表面，该结晶表面是由多个彼此不相连的结晶颗粒所组成，且上述结晶颗粒中的铟含量占该金属氧化物半导体层中所有金属成分的50%以上；

形成栅极于该栅绝缘层上；以及

形成保护层于该栅极上，其中该保护层覆盖该栅极与该栅绝缘层。

13.如权利要求12所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中该金属氧化物半导体层的材质包括氧化铟镓锌。

14.如权利要求12所述的薄膜晶体管结构的制作方法，其特征在于其中该栅绝缘层的材质与该保护层的材质包括硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物。