[发明专利]对准标记及其制造方法

摘要

本发明提供了一种对准标记及其制造方法，其在层间介质层内形成接触孔的同时，还在层间介质层中对应隔离结构的位置形成沟槽，且沟槽的深度延伸至隔离结构内，因此增大了沟槽的深度，因而后续形成在沟槽内的金属层表面所形成的凹坑深度更大，使在后续微影工艺中更容易获取硅片上的对准标记，不会产生对准精度下降或无法对准的问题。

主权项

一种对准标记，其特征在于，所述对准标记形成在半导体衬底上，所述半导体衬底上形成有用于隔离相邻两个有源区的隔离结构，所述半导体衬底及隔离结构上形成有层间介质层，所述层间介质层内形成有接触孔且在对应所述隔离结构的位置形成有第一沟槽，所述第一沟槽的宽度大于所述接触孔的宽度但小于所述隔离结构的宽度，且所述第一沟槽的底壁位于所述隔离结构表面下方，所述层间介质层、接触孔及第一沟槽上形成有金属层，所述金属层将所述接触孔填满，且所述金属层的表面在对应所述第一沟槽的位置形成有第一凹坑，所述第一凹坑作为所述对准标记。