[发明专利]鳍部的制作方法、鳍式场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210454786.5 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811323A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍部的制作方法，包括：在半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；接着在所述图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙；然后以所述侧墙为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀形成逐渐变窄的沟槽；再接着在所述沟槽内填入氧化硅，而后去除沟槽内的部分氧化硅，并保留部分高度的氧化硅；随后去除所述侧墙，以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀以得到鳍式场效应晶体管的鳍部，所述鳍部位于沟槽开口处与底部处的侧壁分别与所述半导体衬底平面所成角度的范围为80度-85度、70度-80度。基于上述鳍部的制作方法，本发明还提供了鳍式场效应晶体管及其制作方法。采用本发明的技术方案，鳍部的高度易于控制，且鳍式场效应晶体管的响应时间短。 | ||
| 搜索关键词： | 制作方法 场效应 晶体管 及其 | ||
【主权项】：
一种鳍部的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；在所述图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙；以所述侧墙为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀形成逐渐变窄的沟槽；在所述沟槽内填入氧化硅，而后去除沟槽内的部分氧化硅，并保留部分高度的氧化硅；去除所述侧墙，以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀以得到鳍式场效应晶体管的鳍部，所述鳍部位于沟槽开口处的侧壁与所述半导体衬底平面所成角度的范围为80度‑85度，所述鳍部位于沟槽底部处的侧壁与所述半导体衬底平面所成角度的范围为70度‑80度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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