[发明专利]鳍部的制作方法、鳍式场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210454786.5 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN103811323A | 公开（公告）日： | 2014-05-21 |
| 发明（设计）人： | 隋运奇;张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制作方法 场效应 晶体管 及其 | ||
1.一种鳍部的制作方法，其特征在于，包括：
在半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层；
在所述图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙；
以所述侧墙为掩膜，对所述半导体衬底进行第一刻蚀形成逐渐变窄的沟槽；
在所述沟槽内填入氧化硅，而后去除沟槽内的部分氧化硅，并保留部分高度的氧化硅；
去除所述侧墙，以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀以得到鳍式场效应晶体管的鳍部，所述鳍部位于沟槽开口处的侧壁与所述半导体衬底平面所成角度的范围为80度-85度，所述鳍部位于沟槽底部处的侧壁与所述半导体衬底平面所成角度的范围为70度-80度。
2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层为氮化硅、氧化硅、氮化硅三层结构。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述图形化的硬掩膜层采用自对准双重曝光工艺形成。
4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，保留的氧化硅与去除的氧化硅的高度之比范围为：1-1:2。
5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙与图形化的硬掩膜层的宽度之比范围为：1-1:2。
6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧墙的材质为氮化硅。
7.根据权利要求1或6所述的制作方法，其特征在于，在所述图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙，包括：先在所述图形化的硬掩膜层上形成氧化硅层，之后在所述侧壁的氧化硅层上形成氮化硅侧墙。
8.根据权利要求7所述的制作方法，其特征在于，氮化硅侧墙的去除采用热磷酸。
9.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，第二刻蚀后，去除所述沟槽内保留的部分高度的氧化硅。
10.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除沟槽内的部分氧化硅采用HF酸。
11.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，去除沟槽内的部分氧化硅的速率为
12.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述硬掩膜层在所述第二刻蚀完毕时消耗完毕。
13.根据权利要求9所述的制作方法，其特征在于，去除所述沟槽内保留的部分高度的氧化硅采用HF酸。
14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，去除所述沟槽内保留的部分高度的氧化硅还采用臭氧。
15.根据权利要求9或13或14所述的制作方法，其特征在于，去除所述沟槽内保留的部分高度的氧化硅的速率为
16.一种鳍式场效应晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
根据权利要求1-15任意一项所述的制作方法制作鳍式场效应晶体管的鳍部；
在所述鳍部上预定位置进行离子注入形成源区与漏区；
在所述源区与漏区之间的沟道区上形成栅极氧化层及栅极。
17.一种根据权利要求16所述制作方法形成的鳍式场效应晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
