[发明专利]IGBT器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201210426232.4 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794645B | 公开（公告）日： | 2019-02-15 |
| 发明（设计）人： | 胡爱斌;朱阳军;卢烁今;王波;吴振兴;田晓丽;赵佳;陆江 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司;中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 200120 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种IGBT器件，该IGBT器件的N型基极区背面的依次设置有第一N型缓冲层、第二N型缓冲层和第三N型缓冲层，其中所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，所述第二N型缓冲层的掺杂杂质为第六主族元素离子，且所述第二N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，并小于所述第一N型缓冲层的杂质浓度，所述第三N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第三N型缓冲层的杂质浓度大于第一N型缓冲层的杂质浓度。三个缓冲层可以分别独立优化IGBT器件的相关特性，获得更好的导通和关断的折中曲线，进而优化IGBT的开关特性，从而提高了IGBT的器件的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | igbt 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种IGBT器件，其特征在于，包括：N型基极区和位于所述N型基极区正面的栅极结构和源极结构；位于所述N型基极区背面的第一N型缓冲层，所述第一N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第一N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度；位于所述第一N型缓冲层表面上的第二N型缓冲层，所述第二N型缓冲层的掺杂杂质为第六主族元素离子，且所述第二N型缓冲层的杂质浓度大于N型基极区的杂质浓度，并小于所述第一N型缓冲层的杂质浓度，所述第二N型缓冲层的杂质浓度为1e12/cm3～1e15/cm3；位于所述第二N型缓冲层表面上的第三N型缓冲层，所述第三N型缓冲层的掺杂杂质为第五主族元素离子，且所述第三N型缓冲层的杂质浓度大于第一N型缓冲层的杂质浓度；位于所述第三N型缓冲层表面上的集电极结构。
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