[发明专利]三维的芯片到晶圆级集成有效

专利信息
申请号: 201210417425.3 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN103077933B 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: A·S·科尔卡;K·坦比杜赖;V·汉德卡尔;H·D·阮 申请(专利权)人: 马克西姆综合产品公司
主分类号: H01L23/485 分类号: H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56
代理公司: 永新专利商标代理有限公司72002 代理人: 王永建
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 公开了一种三维的芯片到晶圆级集成,集成电路器件包括半导体基底和附接到该半导体基底的晶粒。导电柱被连接到半导体基底或晶粒中的至少一个。二次塑模被模制到半导体基底上位于晶粒上方,并且导电柱延伸通过二次塑模。
搜索关键词: 三维 芯片 到晶圆级 集成
【主权项】:
一种半导体器件,包括:包括第一晶粒的半导体基底,所述半导体基底包括电路;附接到所述半导体基底的第二晶粒,所述第二晶粒以面向下定向的方式附接到所述半导体基底,所述第二晶粒包括晶粒附接垫;以面向上的定向附接至所述第二晶粒的第三晶粒,所述第三晶粒附接至第二晶粒的晶粒附接垫,所述第二晶粒和第三晶粒以直接接触的方式堆叠;二次塑模,所述二次塑模被模制到所述半导体基底上位于所述第二晶粒和所述第三晶粒上方;导电柱,所述导电柱直接连接到所述半导体基底的电路或所述第二晶粒或第三晶粒中的至少一个,所述导电柱延伸通过所述二次塑模,其中所述半导体器件的封脚与所述第一晶粒的封脚相同;形成在所述二次塑模上的分布层;形成在所述分布层上的多个焊剂凸起,所述多个焊剂凸起的至少一个经由所述分布层连接至所述导电柱。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于马克西姆综合产品公司,未经马克西姆综合产品公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210417425.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top